英偉達(dá)高管再訪三星封裝工廠，HBM3E 供應(yīng)進(jìn)入關(guān)鍵階段
韓媒 FNnews 昨日（3 月 12 日）發(fā)布博文，報(bào)道稱英偉達(dá)高管于 3 月 10 日訪問了三星電子位于天安的封裝工廠，審計(jì)和測(cè)試第五代高帶寬內(nèi)存 HBM3E。三星計(jì)劃在今年第一季度末向主要客戶供應(yīng) HBM3E 8 層產(chǎn)品，并力爭(zhēng)在上半年完成 12 層產(chǎn)品的交付。
為應(yīng)對(duì)緊張的交付期限，三星甚至將研發(fā)下一代 HBM4 的部分人力投入到 HBM3E 項(xiàng)目中，此次訪問被認(rèn)為 HBM3E 供應(yīng)進(jìn)入最后沖刺階段。
英偉達(dá)高管于 3 月 10 日訪問三星天安工廠，重點(diǎn)審計(jì) HBM3E 的封裝工藝。這是繼 2024 年 12 月第一次實(shí)地考察后的第二次訪問，表明英偉達(dá)高度重視產(chǎn)品質(zhì)量。
三星在上月的財(cái)報(bào)電話會(huì)議中表示，計(jì)劃在 2025 年第 1 季度末向“關(guān)鍵客戶”供應(yīng) HBM3E（8 層）產(chǎn)品，并計(jì)劃在今年上半年內(nèi)交付 HBM3E 12 層芯片，以滿足客戶需求。
報(bào)道稱三星為提升 HBM3E 的良率和穩(wěn)定性，甚至將原本專注于下一代 HBM4 的研發(fā)團(tuán)隊(duì)調(diào)至 HBM3E 項(xiàng)目，此外，三星還在優(yōu)化先進(jìn) DRAM 的良率，以確保交付順利進(jìn)行。HBM3E 作為高帶寬內(nèi)存領(lǐng)域的關(guān)鍵產(chǎn)品，其供應(yīng)情況將直接影響三星與 SK 海力士在 HBM 市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)格局。
三星原本將 HBM4 視為市場(chǎng)決勝點(diǎn)，但由于客戶需求迅速轉(zhuǎn)向 HBM3E 12 層產(chǎn)品，公司目前優(yōu)先聚焦于 HBM3E 的質(zhì)量測(cè)試和交付，此次英偉達(dá)的審計(jì)結(jié)果，將決定三星能否在激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中占據(jù)有利位置。
為應(yīng)對(duì)緊張的交付期限，三星甚至將研發(fā)下一代 HBM4 的部分人力投入到 HBM3E 項(xiàng)目中，此次訪問被認(rèn)為 HBM3E 供應(yīng)進(jìn)入最后沖刺階段。
英偉達(dá)高管于 3 月 10 日訪問三星天安工廠，重點(diǎn)審計(jì) HBM3E 的封裝工藝。這是繼 2024 年 12 月第一次實(shí)地考察后的第二次訪問，表明英偉達(dá)高度重視產(chǎn)品質(zhì)量。
三星在上月的財(cái)報(bào)電話會(huì)議中表示，計(jì)劃在 2025 年第 1 季度末向“關(guān)鍵客戶”供應(yīng) HBM3E（8 層）產(chǎn)品，并計(jì)劃在今年上半年內(nèi)交付 HBM3E 12 層芯片，以滿足客戶需求。
報(bào)道稱三星為提升 HBM3E 的良率和穩(wěn)定性，甚至將原本專注于下一代 HBM4 的研發(fā)團(tuán)隊(duì)調(diào)至 HBM3E 項(xiàng)目，此外，三星還在優(yōu)化先進(jìn) DRAM 的良率，以確保交付順利進(jìn)行。HBM3E 作為高帶寬內(nèi)存領(lǐng)域的關(guān)鍵產(chǎn)品，其供應(yīng)情況將直接影響三星與 SK 海力士在 HBM 市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)格局。
三星原本將 HBM4 視為市場(chǎng)決勝點(diǎn)，但由于客戶需求迅速轉(zhuǎn)向 HBM3E 12 層產(chǎn)品，公司目前優(yōu)先聚焦于 HBM3E 的質(zhì)量測(cè)試和交付，此次英偉達(dá)的審計(jì)結(jié)果，將決定三星能否在激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中占據(jù)有利位置。
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